BSR33QTA

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BSR33QTA概述

PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

- 双极 BJT - 单 PNP 80 V 1 A 100MHz 2.1 W 表面贴装型 SOT-89-3


立创商城:
PNP 80V 1A


得捷:
TRANS PNP 80V 1A SOT89-3


艾睿:
80V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89


Verical:
80V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT89


BSR33QTA中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

额定功率 2.1 W

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 5V

额定功率Max 2.1 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BSR33QTA
型号: BSR33QTA
制造商: Diodes 美台
描述:PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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