BCX5616QTA

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BCX5616QTA概述

Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R

Features

• Ic = 1A Continuous Collector Current

• Low Saturation Voltage VCEsat < 500mV @ 0.5A

• Gain Groups 10 and 16

• Epitaxial Planar Die Construction

• Complementary PNP types: BCX51, 52, and 53

• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant Notes 1 & 2

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device Note 3

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

• PPAP capable Note 4

Applications

• Medium Power Switching or Amplification Applications

• AF driver and output stages

BCX5616QTA中文资料参数规格
技术参数

频率 150 MHz

极性 NPN

耗散功率 2 W

击穿电压集电极-发射极 80 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-89

外形尺寸

封装 SOT-89

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

BCX5616QTA引脚图与封装图
BCX5616QTA引脚图
BCX5616QTA封装图
BCX5616QTA封装焊盘图
在线购买BCX5616QTA
型号: BCX5616QTA
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R
替代型号BCX5616QTA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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