Trans GP BJT NPN 80V 1A 1000mW Automotive 4Pin3+Tab SOT-89 T/R
Features
• Ic = 1A Continuous Collector Current
• Low Saturation Voltage VCEsat < 500mV @ 0.5A
• Gain Groups 10 and 16
• Epitaxial Planar Die Construction
• Complementary PNP types: BCX51, 52, and 53
• Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant Notes 1 & 2
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device Note 3
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
• PPAP capable Note 4
Applications
• Medium Power Switching or Amplification Applications
• AF driver and output stages
频率 150 MHz
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 2V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-89
封装 SOT-89
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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BCX5616QTA Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
BCX5616TA 美台 | 功能相似 | BCX5616QTA和BCX5616TA的区别 |
BCX56-16,115 安世 | 功能相似 | BCX5616QTA和BCX56-16,115的区别 |
DCX56-16-13 美台 | 功能相似 | BCX5616QTA和DCX56-16-13的区别 |