BC857BQ-7-F

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BC857BQ-7-F概述

Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R

The versatility of this PNP GP BJT from Zetex makes it capable of being use as either a switch or amplifier in your circuit. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 350 mW. In order to guarantee safe delivery and allow for quick mounting of this component after delivery, it will be enclosed in tape and reel packaging during shipment. It has a maximum collector emitter voltage of 45 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C.

BC857BQ-7-F中文资料参数规格
技术参数

频率 200 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.35 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC857BQ-7-F
型号: BC857BQ-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 3Pin SOT-23 T/R
替代型号BC857BQ-7-F
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