BC858BW-7

BC858BW-7中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 200 mW

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323-3

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC858BW-7
型号: BC858BW-7
制造商: Diodes 美台
描述:Transistors BJT - Single

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