BS107 系列 200 V 23 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET -TO-92
N-Channel 200V 120mA Ta 500mW Ta Through Hole TO-92-3
得捷:
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
立创商城:
N沟道 200V 120mA
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A Automotive 3-Pin E-Line
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.12A; 0.5W; TO92
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 0.12A 3-Pin E-Line
额定电压DC 200 V
额定电流 120 mA
漏源极电阻 30.0 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 0.5 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 120 mA
额定功率Max 500 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
BS107P Diodes 美台 | 当前型号 | 当前型号 |
ZVP2106A 美台 | 类似代替 | BS107P和ZVP2106A的区别 |
BS107PSTZ 美台 | 类似代替 | BS107P和BS107PSTZ的区别 |
BSS123-7-F 美台 | 功能相似 | BS107P和BSS123-7-F的区别 |