BC848CQ-7-F

BC848CQ-7-F图片1
BC848CQ-7-F概述

Transistors BJT

Ideally Suited for Automatic Insertion

Complementary PNP Types: BC856 – BC858

For switching and AF Amplifier Applications


贸泽:
Bipolar Transistors - BJT


艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


BC848CQ-7-F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC848CQ-7-F
型号: BC848CQ-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:Transistors BJT

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