BC848CW-7-F

BC848CW-7-F图片1
BC848CW-7-F图片2
BC848CW-7-F图片3
BC848CW-7-F图片4
BC848CW-7-F图片5
BC848CW-7-F图片6
BC848CW-7-F图片7
BC848CW-7-F图片8
BC848CW-7-F概述

Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3Pin SOT-323 T/R

- 双极 BJT - 单 NPN 30 V 100 mA 300MHz 200 mW 表面贴装型 SOT-323


立创商城:
NPN 30V 100mA


得捷:
TRANS NPN 30V 0.1A SOT323


艾睿:
The versatility of this NPN BC848CW-7-F GP BJT from Diodes Zetex makes it capable of being use as either a switch or amplifier in your circuit. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 200 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. It has a maximum collector emitter voltage of 30 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -65 °C to 150 °C.


安富利:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3-Pin SOT-323 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 200mW; SOT323


儒卓力:
**NPN TRANS 30V 0,1A SOT323 **


Win Source:
TRANS NPN 30V 0.1A SC70-3


BC848CW-7-F中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 420 @2mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC848CW-7-F
型号: BC848CW-7-F
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3Pin SOT-323 T/R
替代型号BC848CW-7-F
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC848CW-7-F

Diodes 美台

当前型号

当前型号

BC848CW-7

美台

完全替代

BC848CW-7-F和BC848CW-7的区别

BC849CW,115

恩智浦

类似代替

BC848CW-7-F和BC849CW,115的区别

BC848CW

Diotec Semiconductor

类似代替

BC848CW-7-F和BC848CW的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台