BC857BW-7

BC857BW-7图片1
BC857BW-7中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-323

外形尺寸

封装 SOT-323

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC857BW-7
型号: BC857BW-7
制造商: Diodes 美台
描述:Transistors Bipolar - BJT PNP BIPOLAR
替代型号BC857BW-7
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