BC846BLP4-7B

BC846BLP4-7B图片1
BC846BLP4-7B图片2
BC846BLP4-7B图片3
BC846BLP4-7B图片4
BC846BLP4-7B图片5
BC846BLP4-7B图片6
BC846BLP4-7B概述

BC846BLP4-7B 编带

Design filters, receivers, transmitters, op-amps, power supplies, and control circuits with this versatile NPN GP BJT from Zetex. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 6 V. Its maximum power dissipation is 1000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 65 V and a maximum emitter base voltage of 6 V.

BC846BLP4-7B中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定功率 0.41 W

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 1 W

增益频宽积 300 MHz

击穿电压集电极-发射极 65 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 450 @2mA, 5V

额定功率Max 410 mW

直流电流增益hFE 200

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 410 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 DFN1006-3

外形尺寸

封装 DFN1006-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买BC846BLP4-7B
型号: BC846BLP4-7B
制造商: Diodes 美台
描述:BC846BLP4-7B 编带
替代型号BC846BLP4-7B
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

BC846BLP4-7B

Diodes 美台

当前型号

当前型号

BC846BM,315

安世

功能相似

BC846BLP4-7B和BC846BM,315的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台