BC847BFAQ-7B

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BC847BFAQ-7B概述

Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 435mW 3Pin X2-DFN T/R

Bipolar BJT Transistor NPN 45V 100mA 100MHz 435mW Surface Mount X2-DFN0806-3


得捷:
TRANS NPN 45V 0.1A 3DFN


艾睿:
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 435mW Automotive 3-Pin X2-DFN T/R


BC847BFAQ-7B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 435 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

最小电流放大倍数hFE 200 @2mA, 5V

额定功率Max 435 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 435 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 XFDFN-3

外形尺寸

封装 XFDFN-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买BC847BFAQ-7B
型号: BC847BFAQ-7B
制造商: Diodes 美台
描述:Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 435mW 3Pin X2-DFN T/R

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