CC1190RGVT

TEXAS INSTRUMENTS  CC1190RGVT.  芯片, 射频前端, 850-950MHz, 11.6DB, 950MHZ, QFN-16

CC1190 850-950MHz 射频前端

CC1190 设备包含射频功率放大器 PA、射频低噪声放大器 LNA 和切换电路，以便为无线收发器提供高性能射频前端。 它还可用作 Texas Instruments 的 CC11xx 和 CC430 系列收发器设备的范围扩展器。

频率范围：850 至 950MHz

射频输出功率：高达 +27dBm

接收器灵敏度：当与 CC11xx 和 CC430 设备一起使用时，通常可提高 6dB

LNA 噪声指数：2.9dB

通过 HGM 引脚数字控制 LNA 和 PA 增益

电源：+2.0V 至 +3.7V 直流

得捷:
IC RF FRONT-END 16VQFN

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CC1190RGVT

德州仪器TI:
850 - 950MHz RF front end

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### CC1190 850-950MHz 射频前端CC1190 设备包含射频功率放大器 PA、射频低噪声放大器 LNA 和切换电路，以便为无线收发器提供高性能射频前端。 它还可用作 Texas Instruments 的 CC11xx 和 CC430 系列收发器设备的范围扩展器。频率范围：850 至 950MHz 射频输出功率：高达 +27dBm 接收器灵敏度：当与 CC11xx 和 CC430 设备一起使用时，通常可提高 6dB LNA 噪声指数：2.9dB 通过 HGM 引脚数字控制 LNA 和 PA 增益 电源：+2.0V 至 +3.7V 直流 ### 单芯片组件，Texas Instruments

贸泽:
RF Front End 850 - 950MHz RF Front End

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TEXAS INSTRUMENTS  CC1190RGVT.  芯片, 射频前端, 850-950MHz, 11.6DB, 950MHZ, QFN-16

艾睿:
LNA/PA RF Front End 6.2dB 11.6dB/27.9dB 16-Pin VQFN EP T/R

安富利:
Low Power RF Devices 16-Pin VQFN EP T/R

Chip1Stop:
Low Power RF Devices 16-Pin VQFN EP T/R

TME:
RF front end; 850-950MHz; QFN16

Verical:
LNA/PA RF Front End 6.2dB 11.6dB/27.9dB 16-Pin VQFN EP T/R

Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CC1190RGVT  RF Amplifier IC, 11.6 dB Gain, 850 MHz to 950 MHz, 2 V to 3.7 V, 0.5 W, QFN-16

DeviceMart:
IC RF FRONT-END 16VQFN

Win Source:
IC RF FRONT-END 16VQFN