CIG21L1R2MNE

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CIG21L1R2MNE概述

0805 1.2uH ±20%

1.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 125mOhm


得捷:
FIXED IND 1.2UH 1.1A 125MOHM SMD


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 1.2uH 20% 1MHz Ferrite 1.1A 125mOhm DCR 0805 T/R


CIG21L1R2MNE中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1.1 A

容差 ±20 %

电感 1.2 µH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

电阻DC) 125 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 2012

封装 0805

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 1 mm

封装公制 2012

封装 0805

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 4000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: CIG21L1R2MNE
制造商: Samsung 三星
描述:0805 1.2uH ±20%

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