CIG22B2R2MLE

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CIG22B2R2MLE概述

1008 2.2uH ±20%

2.2µH Shielded Multilayer Inductor 900mA 170mOhm 1008 2520 Metric


得捷:
FIXED IND 2.2UH 900MA 170MOHM SM


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 3MHz Ferrite 900mA 170mOhm DCR 1008 T/R


安富利:
POWER INDUCTOR, HIGH CURRENT FOR BOOST, 1008INCH, 20%, 7"


Win Source:
FIXED IND 2.2UH 900MA 170 MOHM


CIG22B2R2MLE中文资料参数规格
技术参数

额定电流 900 mA

容差 ±20 %

电感 2.2 µH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) 170 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 1008

外形尺寸

高度 1 mm

封装 1008

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 3000

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买CIG22B2R2MLE
型号: CIG22B2R2MLE
制造商: Samsung 三星
描述:1008 2.2uH ±20%

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