CIG32H2R2MNE

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CIG32H2R2MNE概述

1210 2.2uH ±20%

2.2µH Shielded Multilayer Inductor 1.6A 125mOhm 1210 3225 Metric


得捷:
FIXED IND 2.2UH 1.6A 125MOHM SMD


艾睿:
Inductor Power Chip Shielded Multi-Layer 2.2uH 20% 1MHz 1.6A 125mOhm DCR 1210 T/R


安富利:
POWER INDUCTOR, HIGH CURRENT, 1210INCH, 20%, 7" EMBOSSED TY


儒卓力:
**CIG32H 2,2uH 2900mA 20% MLT **


Win Source:
FIXED IND 2.2UH 1.6A 125MOHM SMD / 2.2 µH Shielded Multilayer Inductor 1.6 A 125mOhm 1210 3225 Metric


CIG32H2R2MNE中文资料参数规格
技术参数

额定电流 1.6 A

容差 ±20 %

电感 2.2 µH

产品系列 CIG

电感公差 ±20 %

测试频率 1 MHz

电阻DC) 125 mΩ

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装公制 3225

封装 1210

外形尺寸

长度 3.2 mm

宽度 2.5 mm

高度 1 mm

封装公制 3225

封装 1210

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

最小包装 2500

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买CIG32H2R2MNE
型号: CIG32H2R2MNE
制造商: Samsung 三星
描述:1210 2.2uH ±20%

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