CGHV40030F

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CGHV40030F中文资料参数规格
技术参数

频率 0Hz ~ 6GHz

阈值电压 2.3 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 2.6 V

输出功率 30 W

增益 16 dB

测试电流 150 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

额定电压 125 V

封装参数

引脚数 3

封装 440166

外形尺寸

长度 14.09 mm

宽度 4.19 mm

高度 3.43 mm

封装 440166

物理参数

工作温度 40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CGHV40030F
型号: CGHV40030F
描述:RF JFET Transistors DC-6GHz 30W GaN Gain 16dB typ.

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