CGH40010F

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CGH40010F概述

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6GHz, 10W

RF Mosfet HEMT 28V 200mA 0Hz ~ 6GHz 14.5dB 12.5W 440166


艾睿:
Trans FET N-CH 84V 1.5A GaN HEMT 3-Pin Case 440166


CGH40010F中文资料参数规格
技术参数

频率 0Hz ~ 6GHz

额定电流 3.5 A

阈值电压 3 V

漏源击穿电压 120 V

输出功率 12.5 W

增益 14.5 dB

测试电流 200 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 40 ℃

额定电压 84 V

封装参数

引脚数 3

封装 440166

外形尺寸

长度 5.21 mm

宽度 4.19 mm

高度 3.43 mm

封装 440166

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CGH40010F
型号: CGH40010F
描述:RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6GHz, 10W

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