RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6GHz, 10W
RF Mosfet HEMT 28V 200mA 0Hz ~ 6GHz 14.5dB 12.5W 440166
艾睿: Trans FET N-CH 84V 1.5A GaN HEMT 3-Pin Case 440166
频率 0Hz ~ 6GHz
额定电流 3.5 A
阈值电压 3 V
漏源击穿电压 120 V
输出功率 12.5 W
增益 14.5 dB
测试电流 200 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 40 ℃
额定电压 84 V
引脚数 3
封装 440166
长度 5.21 mm
宽度 4.19 mm
高度 3.43 mm
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册