CSD86330Q3D

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CSD86330Q3D概述

同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

半桥 NexFET 电源块


得捷:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON


立创商城:
双N沟道半桥 25V 20A


德州仪器TI:
25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 20 A


欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET 模块 CSD86330Q3D, 60 A, Vds=20 V, 8引脚 SON封装


e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 25 V, 4.6 ohm, 4.5 V, 1.4 V


艾睿:
Synchronous Buck Power Block 8-Pin SON EP T/R


安富利:
Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON EP T/R


Chip1Stop:
Synchronous Buck Power Block 8-Pin SON EP T/R


Verical:
Synchronous Buck Power Block 8-Pin SON EP T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD86330Q3D  Dual MOSFET, Dual N Channel, 65 A, 25 V, 1.4 V


力源芯城:
同步降压 NexFET 电源块 MOSFET 对


Win Source:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON


DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON


CSD86330Q3D中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 22.0V max

通道数 2

针脚数 8

漏源极电阻 4.6 Ω

极性 Dual N-Channel

耗散功率 6 W

阈值电压 1.4 V

漏源极电压Vds 25 V

输入电容Ciss 920pF @12.5VVds

额定功率Max 6 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 LDFN-8

外形尺寸

长度 3.4 mm

宽度 3.4 mm

高度 1.5 mm

封装 LDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 电源管理, 工业

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

CSD86330Q3D引脚图与封装图
CSD86330Q3D引脚图
CSD86330Q3D封装图
CSD86330Q3D封装焊盘图
在线购买CSD86330Q3D
型号: CSD86330Q3D
制造商: TI 德州仪器
描述:同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对
替代型号CSD86330Q3D
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CSD86330Q3D

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

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