同步降压 NexFET™ 电源块 MOSFET 对
Power MOSFET Modules, Texas Instruments
半桥 NexFET 电源块
得捷:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
立创商城:
双N沟道半桥 25V 20A
德州仪器TI:
25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 20 A
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET 模块 CSD86330Q3D, 60 A, Vds=20 V, 8引脚 SON封装
e络盟:
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 20 A, 25 V, 4.6 ohm, 4.5 V, 1.4 V
艾睿:
Synchronous Buck Power Block 8-Pin SON EP T/R
安富利:
Synchronous Buck NexFET Power Block 8-Pin SON EP T/R
Chip1Stop:
Synchronous Buck Power Block 8-Pin SON EP T/R
Verical:
Synchronous Buck Power Block 8-Pin SON EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD86330Q3D Dual MOSFET, Dual N Channel, 65 A, 25 V, 1.4 V
力源芯城:
同步降压 NexFET 电源块 MOSFET 对
Win Source:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
DeviceMart:
MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON
电源电压DC 22.0V max
通道数 2
针脚数 8
漏源极电阻 4.6 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 6 W
阈值电压 1.4 V
漏源极电压Vds 25 V
输入电容Ciss 920pF @12.5VVds
额定功率Max 6 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 6 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 LDFN-8
长度 3.4 mm
宽度 3.4 mm
高度 1.5 mm
封装 LDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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