CLF1G0035S-100,112

CLF1G0035S-100,112图片1
CLF1G0035S-100,112概述

RF Power Transistor, DC- 3.5GHz, 100W, 12dB, 50V, GaN

RF Mosfet GaN HEMT 50V 330mA 3GHz 12dB 100W LDMOST


得捷:
IC RF PWR AMP 100W SOT467B


艾睿:
Trans FET N-CH 150V GaN HEMT 3-Pin SOT-467B Bulk


Verical:
Trans RF FET N-CH 150V 3-Pin SOT-467B Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, DC- 3.5 GHz, 100 W, 12 dB, 50 V, GaN


CLF1G0035S-100,112中文资料参数规格
技术参数

频率 3 GHz

输出功率 100 W

增益 12 dB

测试电流 330 mA

额定电压 150 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-467

外形尺寸

封装 SOT-467

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A001.b.3.a

数据手册

在线购买CLF1G0035S-100,112
型号: CLF1G0035S-100,112
制造商: Ampleon USA
描述:RF Power Transistor, DC- 3.5GHz, 100W, 12dB, 50V, GaN

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台