CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62167EV30LL-45BVXI 芯片, SRAM, 16Mb, 1MX16, 2MX8, 3V
异步微功耗 MoBL SRAM 存储器,
MoBL 低功率 SRAM 存储器设备具有高效率,且可提供行业领先的待机功耗(最大)规格。
### SRAM(静态随机存取存储器)
立创商城:
CY62167EV30LL-45BVXI
得捷:
IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
欧时:
Cypress Semiconductor CY62167EV30LL-45BVXI, 16Mbit SRAM 内存, 1M x 16 位,2M x 8 位, 1MHz, 2.2 → 3.6 V
贸泽:
静态随机存取存储器 16Mb 3V 45ns 1M x 16 LP 静态随机存取存储器
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艾睿:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 1M x 16 45ns 48-Pin VFBGA Tray
安富利:
SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 2M/1M x 8/16-Bit 45ns 48-Pin VFBGA Tray
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DeviceMart:
IC SRAM 16MBIT 45NS 48VFBGA
Win Source:
IC SRAM 16MBIT 45NS 48VFBGA
电源电压DC 2.20V min
供电电流 30 mA
针脚数 48
时钟频率 1 MHz
位数 16
存取时间 45 ns
内存容量 2000000 B
存取时间Max 45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 2.2V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 48
封装 VFBGA-48
长度 6 mm
宽度 8 mm
高度 0.79 mm
封装 VFBGA-48
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
制造应用 Computers & Computer Peripherals, 消费电子产品, Consumer Electronics, 计算机和计算机周边, Computers & Computer Peripherals, Consumer Electronics
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2013/06/20
ECCN代码 3A991.b.2.a
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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