CY7C1021DV33-10ZSXI

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CY7C1021DV33-10ZSXI概述

RAM,Cypress Semiconductor### SRAM(静态随机存取存储器)

异步静态 RAM 存储器,


立创商城:
CY7C1021DV33-10ZSXI


欧时:
Cypress Semiconductor CY7C1021DV33-10ZSXI, 1Mbit SRAM 内存, 64K x 16, 100MHz, 3 至 3.6 V, 44针 TSOP封装


得捷:
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II


贸泽:
SRAM 2Mb 10ns 3.3V 64Kx16 Fast Async SRAM


e络盟:
芯片, 存储器, SRAM, 1 MB, 64K X 16位, 10 NS存取时间, 平行口, 3 V至3.6 V 电源, TSOP-44


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray


安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray


Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-bit 64K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray


Newark:
IC, SRAM, 1 Mbit, 64K x 16bit, 10 ns Access Time, Parallel Interface, 3 V to 3.6 V supply, TSOP-44


DeviceMart:
IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP


Win Source:
IC SRAM 1MBIT 10NS 44TSOP


CY7C1021DV33-10ZSXI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

供电电流 60 mA

针脚数 44

时钟频率 100 MHz

位数 16

存取时间 10 ns

内存容量 125000 B

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

长度 18.52 mm

宽度 10.262 mm

高度 1.044 mm

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Industrial, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Portable Devices, 工业, Computers & Computer Peripherals, 计算机和计算机周边, 便携式器材, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.b

数据手册

CY7C1021DV33-10ZSXI引脚图与封装图
CY7C1021DV33-10ZSXI引脚图
CY7C1021DV33-10ZSXI封装图
CY7C1021DV33-10ZSXI封装焊盘图
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型号: CY7C1021DV33-10ZSXI
描述:RAM,Cypress Semiconductor ### SRAM(静态随机存取存储器)
替代型号CY7C1021DV33-10ZSXI
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CY7C1021DV33-10ZSXI

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CY7C1021CV33-12ZSXE

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