CY62157E 系列 8-Mb 512 K x 16 4.5 - 5.5 V 45 ns 静态 RAM - TSOP-44
异步微功耗 MoBL SRAM 存储器,
MoBL 低功率 SRAM 存储器设备具有高效率,且可提供行业领先的待机功耗(最大)规格。
立创商城:
CY62157ELL-45ZSXI
欧时:
Cypress Semiconductor CY62157ELL-45ZSXI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16 位, 1MHz, 4.5 → 5.5 V, 44针 TSOP封装
得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II
e络盟:
SRAM, 8 Mbit, 512K x 16位, 4.5V 至 5.5V, TSOP-II, 44 引脚, 45 ns
艾睿:
SRAM Chip Async Single 5V 8M-Bit 512K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II Tray
安富利:
SRAM Chip Async Single 5V 8M-Bit 512K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II
Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 5V 8M-Bit 512K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II Tray
Verical:
SRAM Chip Async Single 5V 8M-bit 512K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II Tray
Newark:
# CYPRESS SEMICONDUCTOR CY62157ELL-45ZSXI IC, SRAM, 8 Mbit, 512K x 16bit, 45 ns Access Time, Parallel, 4.5 V to 5.5 V supply, TSOP-44
DeviceMart:
IC SRAM 8MBIT 45NS 44TSOP
电源电压DC 5.00 V, 5.50 V max
供电电流 25 mA
针脚数 44
时钟频率 1 MHz
位数 16
存取时间 45 ns
内存容量 1000000 B
存取时间Max 45 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 44
封装 TSOP-44
长度 18.51 mm
宽度 10.26 mm
高度 1.04 mm
封装 TSOP-44
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 3A991.b.2.a
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CY62157ELL-45ZSXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
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