CY62136EV30LL-45ZSXI

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CY62136EV30LL-45ZSXI概述

CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY62136EV30LL-45ZSXI  芯片, 存储器, SRAM, 2MB, 并行口, 45NS, 44TSOP

异步微功耗 MoBL SRAM 存储器,

MoBL 低功率 SRAM 存储器设备具有高效率,且可提供行业领先的待机功耗(最大)规格。


立创商城:
CY62136EV30LL-45ZSXI


欧时:
Cypress Semiconductor CY62136EV30LL-45ZSXI, 2Mbit SRAM 内存, 128K x 16 位, 1MHz, 2.2 → 3.6 V, 44针 TSOP封装


得捷:
IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP II


贸泽:
静态随机存取存储器 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP 静态随机存取存储器


e络盟:
芯片, 存储器, SRAM, 1 MB, 128K X 16位, 45 NS存取时间, 平行, 2.2 V至3.6 V电源, TSOP-II-44


艾睿:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-Bit 128K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II Tray


安富利:
SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-Bit 128K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II


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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-Bit 128K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II Tray


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SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V 2M-bit 128K x 16 45ns 44-Pin TSOP-II Tray


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# CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY62136EV30LL-45ZSXI  SRAM, 2MBIT, PARALLEL, 45NS, 44TSOP


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IC SRAM 2MBIT 45NS 44TSOP


Win Source:
IC SRAM 2MBIT 45NS 44TSOP


CY62136EV30LL-45ZSXI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.60 V, 3.60 V max

供电电流 20 mA

针脚数 44

时钟频率 1 MHz

位数 16

存取时间 45 ns

内存容量 250000 B

存取时间Max 45 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.2V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.2 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

长度 18.51 mm

宽度 10.26 mm

高度 1.04 mm

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 工业, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Portable Devices, 计算机和计算机周边, 便携式器材

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 3A991.b.2.a

数据手册

CY62136EV30LL-45ZSXI引脚图与封装图
CY62136EV30LL-45ZSXI引脚图
CY62136EV30LL-45ZSXI封装图
CY62136EV30LL-45ZSXI封装焊盘图
在线购买CY62136EV30LL-45ZSXI
型号: CY62136EV30LL-45ZSXI
描述:CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY62136EV30LL-45ZSXI  芯片, 存储器, SRAM, 2MB, 并行口, 45NS, 44TSOP
替代型号CY62136EV30LL-45ZSXI
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