CYPRESS SEMICONDUCTOR CY7C199D-10VXI 芯片, 存储器, SRAM, 256KB, 并行口, 10NS, 32SOJ
异步静态 RAM 存储器,
### SRAM(静态随机存取存储器)
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CY7C199D 10VXI
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IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
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Cypress Semiconductor CY7C199D-10VXI, 256kbit SRAM 内存, 32K x 8 位, -0.5 → 6 V, 28针 SOJ封装
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静态随机存取存储器 256Kb 10ns 32K x 8 静态随机存取存储器
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Win Source:
IC SRAM 256KBIT 10NS 28SOJ
电源电压DC 5.00 V
针脚数 28
位数 8
存取时间 10 ns
内存容量 32000 B
存取时间Max 10 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V
电源电压Max 5.5 V
电源电压Min 4.5 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 28
封装 SOJ-28
长度 18.11 mm
宽度 0.3 in
高度 3.56 mm
封装 SOJ-28
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, Computers & Computer Peripherals, Industrial, Portable Devices, 计算机和计算机周边, 便携式器材
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CY7C199D-10VXI Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 当前型号 | 当前型号 |
CY7C199D-10ZXI 赛普拉斯 | 完全替代 | CY7C199D-10VXI和CY7C199D-10ZXI的区别 |
CY7C199-10VC 赛普拉斯 | 类似代替 | CY7C199D-10VXI和CY7C199-10VC的区别 |