CY7C1051DV33-10ZSXI

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CY7C1051DV33-10ZSXI概述

CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C1051DV33-10ZSXI  芯片, 存储器, SRAM, 8MB, 并行口, 10NS, 44TSOP

异步静态 RAM 存储器,

### SRAM(静态随机存取存储器)


立创商城:
CY7C1051DV33-10ZSXI


欧时:
Cypress Semiconductor CY7C1051DV33-10ZSXI, 8Mbit SRAM 内存, 512K x 16 位, -0.5 至 4.6 V, 44针 TSOP封装


得捷:
IC SRAM 8MBIT PARALLEL 44TSOP II


贸泽:
静态随机存取存储器 8Mb 10ns3.3V 512Kx16 Fast Async 静态随机存取存储器


e络盟:
芯片, 存储器, SRAM, 8MB, 512K X 16位, 10 NS存取时间, 3 V至3.6 V 电源, TSOP-II-44


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray


安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II


Chip1Stop:
SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-Bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray


Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 8M-bit 512K x 16 10ns 44-Pin TSOP-II Tray


Newark:
# CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C1051DV33-10ZSXI  IC, SRAM, 8 Mbit, 512K x 16bit, 10 ns Access Time, 3 V to 3.6 V supply, TSOP-II-44


DeviceMart:
IC SRAM 8MB ASYNC 44-TSOP


CY7C1051DV33-10ZSXI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

供电电流 110 mA

针脚数 44

时钟频率 10.0 GHz

位数 16

存取时间 10 ns

内存容量 1000000 B

存取时间Max 10 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 44

封装 TSOP-44

外形尺寸

长度 18.52 mm

宽度 11.938 mm

高度 1.194 mm

封装 TSOP-44

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Computers & Computer Peripherals, 计算机和计算机周边

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

CY7C1051DV33-10ZSXI引脚图与封装图
CY7C1051DV33-10ZSXI引脚图
CY7C1051DV33-10ZSXI封装图
CY7C1051DV33-10ZSXI封装焊盘图
在线购买CY7C1051DV33-10ZSXI
型号: CY7C1051DV33-10ZSXI
描述:CYPRESS SEMICONDUCTOR  CY7C1051DV33-10ZSXI  芯片, 存储器, SRAM, 8MB, 并行口, 10NS, 44TSOP
替代型号CY7C1051DV33-10ZSXI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Cypress Semiconductor 赛普拉斯

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赛普拉斯

完全替代

CY7C1051DV33-10ZSXI和CY7C1051DV33-10ZSXIT的区别

IS61WV51216BLL-10TLI

Integrated Silicon SolutionISSI

功能相似

CY7C1051DV33-10ZSXI和IS61WV51216BLL-10TLI的区别

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