30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD17483F4
这款 200mΩ,30V N 通道 FemtoFET MOSFET 技术被设计且被优化,以最大限度地减少很多手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。
## 应用范围
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漏源极电阻 0.185 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 1.5A
上升时间 1.3 ns
输入电容Ciss 145pF @15VVds
下降时间 3.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
长度 1.04 mm
宽度 0.64 mm
高度 0.35 mm
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD17483F4 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD17483F4T 德州仪器 | 完全替代 | CSD17483F4和CSD17483F4T的区别 |
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