CSD17483F4

CSD17483F4图片1
CSD17483F4图片2
CSD17483F4图片3
CSD17483F4图片4
CSD17483F4图片5
CSD17483F4图片6
CSD17483F4图片7
CSD17483F4图片8
CSD17483F4图片9
CSD17483F4概述

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD17483F4

这款 200mΩ,30V N 通道 FemtoFET MOSFET 技术被设计且被优化,以最大限度地减少很多手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。

.
低导通电阻
.
低 Qg和 Qgd
.
低阈值电压
.
超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
.
1.0mm × 0.6mm
.
超薄
.
高度 0.35mm
.
集成型静电放电 ESD 保护二极管
.
额定值 > 4kV 人体模型 HBM
.
额定值 > 2kV 充电器件模型 CDM
.
无铅且无卤素
.
符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

.
针对负载开关应用进行了优化
.
针对通用开关应用进行了优化
.
单节电池应用
.
手持式和移动类应用

All trademarks are the property of their respective owners.

CSD17483F4中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.185 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 850 mV

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.5A

上升时间 1.3 ns

输入电容Ciss 145pF @15VVds

下降时间 3.4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

长度 1.04 mm

宽度 0.64 mm

高度 0.35 mm

封装 PICOSTAR-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD17483F4引脚图与封装图
CSD17483F4引脚图
CSD17483F4封装图
CSD17483F4封装焊盘图
在线购买CSD17483F4
型号: CSD17483F4
制造商: TI 德州仪器
描述:30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD17483F4
替代型号CSD17483F4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

CSD17483F4

TI 德州仪器

当前型号

当前型号

CSD17483F4T

德州仪器

完全替代

CSD17483F4和CSD17483F4T的区别

CSD17483F4R

德州仪器

功能相似

CSD17483F4和CSD17483F4R的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台