TEXAS INSTRUMENTS CSD13381F4T 晶体管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 12 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 850 mV
N 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments
欧时:
Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD13381F4T, 2.1 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装
得捷:
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
立创商城:
CSD13381F4T
德州仪器TI:
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 180 mOhm, gate ESD protection
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PICOSTAR T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PICOSTAR T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD13381F4T MOSFET Transistor, N Channel, 2.1 A, 12 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 850 mV
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.14 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 2.1A
上升时间 1.5 ns
输入电容Ciss 155pF @6VVds
下降时间 3.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
长度 1.04 mm
宽度 0.64 mm
高度 0.35 mm
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD13381F4T TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD13381F4 德州仪器 | 类似代替 | CSD13381F4T和CSD13381F4的区别 |