频率 300 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.35 W
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.6A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 350 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
CMPT5551TR
Central Semiconductor
当前型号
MMBT5551-7-F
美台
功能相似
MMBT2484LT1G
安森美
MMBT6429LT1G