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-12V、P 沟道 NexFET MOSFET™、单路、LGA 0.6x1.0、76mΩ 3-PICOSTAR 0 to 0

此 66mΩ，12V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。

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低导通电阻

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超低 Qg 和 Qgd

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超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）

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1.0mm × 0.6mm

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低高度

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最大高度 0.35mm

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集成型静电放电 ESD 保护二极管

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额定值 > 2kV 人体模型 HBM

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额定值 > 2kV 充电器件模型 CDM

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无铅端子镀层

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无卤素

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符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

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针对负载开关应用进行了优化

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针对通用开关应用进行了优化

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电池类应用

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手持式和移动类应用