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P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments### MOSFET 晶体管，Texas Instruments

这款 150mΩ，12V P 通道 FemtoFET 金属氧化物半导体场效应 MOSFET 已被设计且优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 此技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时替代标准的小信号 MOSFET。

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超低导通电阻

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超低 Qg 和 Qgd

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高运行漏极电流

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超小封装尺寸（0402 外壳尺寸）

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1.0mm × 0.6mm

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超薄

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最大高度 0.35mm

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集成型静电放电 ESD 保护二极管

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额定值 > 4kV 人体放电模式 HBM

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额定值 > 2kV 组件充电模式 CDM

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无铅且无卤素

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符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

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针对负载开关应用进行了优化

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针对通用开关应用进行了优化

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电池类应用

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手持式和移动类应用

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