CPH3123-TL-E参数规格_中文资料_数据手册PDF

CPH3123-TL-E概述

CPH PNP 50V 3A

Bipolar BJT Transistor PNP 50V 3A 390MHz 900mW Surface Mount 3-CPH

得捷:
TRANS PNP 50V 3A 3CPH

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CPH3123-TL-E

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Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin CPH

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Trans GP BJT PNP 50V 3A 3-Pin CPH

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Trans GP BJT PNP 50V 3A 900mW 3-Pin CPH T/R

CPH3123-TL-E中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 0.9 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 200 @100mA, 2V

额定功率Max 900 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 900 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-96

外形尺寸

封装 SC-96

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CPH3123-TL-E

型号： CPH3123-TL-E

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：CPH PNP 50V 3A

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替代型号CPH3123-TL-E

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