CPH3351-TL-H参数规格_中文资料_数据手册PDF

CPH3351-TL-H概述

1.8A,-60V,P沟道MOSFET

P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，

得捷:
MOSFET P-CH 60V 1.8A 3CPH

欧时:
ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 CPH3351-TL-H, 1.8 A, Vds=60 V, 3引脚 CPH封装

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 3-Pin CPH T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 3-Pin CPH T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 1.8A 3-Pin CPH T/R

力源芯城:
-1.8A,-60V,P沟道MOSFET

Win Source:
MOSFET P-CH 60V 1.8A CPH3

CPH3351-TL-H中文资料参数规格

技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 P-CH

耗散功率 1W Ta

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 1.8A

上升时间 5.4 ns

输入电容Ciss 262pF @20VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.9 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CPH3351-TL-H

型号： CPH3351-TL-H

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：1.8A,-60V,P沟道MOSFET

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替代型号CPH3351-TL-H

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
CPH3351-TL-H ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
CPH3351-TL-W 安森美	类似代替	CPH3351-TL-H和CPH3351-TL-W的区别
SQ2361EES-T1-GE3 Vishay Siliconix	功能相似	CPH3351-TL-H和SQ2361EES-T1-GE3的区别
2SJ626-T1B-AT 瑞萨电子	功能相似	CPH3351-TL-H和2SJ626-T1B-AT的区别