CSD25481F4

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CSD25481F4概述

P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25481W4

这款 90mΩ,20V P 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化,以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。

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超低导通电阻
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超低 Qg 和 Qgd
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高运行漏极电流
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超小封装尺寸(0402 外壳尺寸)
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1mm x 0.6mm
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超薄
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最大高度 0.35mm
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集成型静电放电 ESD 保护二极管
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额定值 > 4kV 人体放电模式 HBM
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额定值 > 2kV 组件充电模式 CDM
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无铅且无卤素
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符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

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针对负载开关应用进行了优化
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针对通用开关应用进行了优化
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电池类应用
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手持式和移动类应用

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CSD25481F4中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 0.5 W

阈值电压 950 mV

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.5A

上升时间 3.6 ns

输入电容Ciss 189pF @10VVds

下降时间 6.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.6 mm

高度 0.35 mm

封装 PICOSTAR-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CSD25481F4
型号: CSD25481F4
制造商: TI 德州仪器
描述:P 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD25481W4
替代型号CSD25481F4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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