CSD13383F4

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CSD13383F4概述

CSD13383F4 12V N 通道 FemtoFET™ MOSFET

这款 37mΩ,12V N 通道 FemtoFET MOSFET 技术被设计且被优化,以最大限度地减少很多手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时,替代标准的小信号 MOSFET。

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低导通电阻
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超低 Qg和 Qgd
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超小型封装尺寸(0402 外壳尺寸)
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1.0mm × 0.6mm
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低高度
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高度 0.35mm
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集成型静电放电 ESD 保护二极管
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额定值 > 2kV 人体模型 HBM
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额定值 > 2kV 充电器件模型 CDM
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无铅且无卤素
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符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

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针对负载开关应用进行了优化
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针对通用开关应用进行了优化
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单节电池应用
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手持式和移动类应用

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CSD13383F4中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 500 mW

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 2.9A

上升时间 122 ns

输入电容Ciss 291pF @6VVds

额定功率Max 500 mW

下降时间 290 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

长度 1 mm

宽度 0.64 mm

高度 0.35 mm

封装 PICOSTAR-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买CSD13383F4
型号: CSD13383F4
制造商: TI 德州仪器
描述:CSD13383F4 12V N 通道 FemtoFET™ MOSFET
替代型号CSD13383F4
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