CSD17484F4

CSD17484F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFET

这款 99mΩ，30V N 通道 FemtoFET MOSFET 被设计且被优化，以最大限度地减少多种手持式和移动类应用中的封装尺寸。 这个技术能够在将封装尺寸至少减少 60% 的同时，替代标准的小信号 MOSFET。

典型部件尺寸

要了解所有可用封装，请见数据表末尾的可订购产品附录。 RθJA = 85°C/W，这是在厚度为 0.06 英寸 1.52 mm 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上的 1 英寸2 6.45 cm2，2 盎司（厚度为 0.071 mm）的铜过渡垫片上测得的典型值

。脉冲持续时间 ≤ 100μs，占空比 ≤ 1% 顶视图

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低导通电阻

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超低 Qg 和 Qgd

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低阈值电压

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超小型封装尺寸（0402 外壳尺寸）

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1.0mm × 0.6mm

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超薄

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高度 0.2mm

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集成型静电放电 ESD 保护二极管

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额定值 > 4kV 人体放电模式 HBM

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额定值 > 2kV 组件充电模式 CDM

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无铅且无卤素

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符合 RoHS 环保标准

## 应用范围

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针对负载开关应用进行了优化

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针对通用开关应用进行了优化

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电池类应用

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手持式和移动类应用

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