CRZ33TE85L,Q,M参数规格_中文资料_数据手册PDF

CRZ33TE85L,Q,M概述

稳压二极管 Diode Zener 33V 0.7W

- 齐纳 ±10% 表面贴装型 S-FLAT（1.6x3.5）

得捷:
DIODE ZENER 33V 700MW SFLAT

贸泽:
稳压二极管 Diode Zener 33V 0.7W

艾睿:
Diode Zener Single 33V 10% 700mW 2-Pin S-FLAT T/R

CRZ33TE85L,Q,M中文资料参数规格

技术参数

容差 ±10 %

正向电压 1V @200mA

耗散功率 700 mW

测试电流 10 mA

稳压值 33 V

正向电压Max 1V @200mA

额定功率Max 700 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 S-FLAT

外形尺寸

长度 2.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.98 mm

封装 S-FLAT

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

CRZ33TE85L,Q,M引脚图与封装图

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型号： CRZ33TE85L,Q,M

制造商： Toshiba 东芝

描述：稳压二极管 Diode Zener 33V 0.7W