TEXAS INSTRUMENTS CSD25481F4T 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.075 ohm, -8 V, -950 mV
P 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
得捷:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 3PICOSTAR
立创商城:
P沟道 20V 2.5A
德州仪器TI:
-20-V, P channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 0.6 mm x 1 mm, 105 mOhm, gate ESD protection
欧时:
Texas Instruments FemtoFET 系列 Si P沟道 MOSFET CSD25481F4T, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 PICOSTAR封装
贸泽:
MOSFET 20V ,PCh FemtoFET MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -20 V, 0.075 ohm, -8 V, -950 mV
艾睿:
Use Texas Instruments&s; CSD25481F4T power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes femtofet technology.
安富利:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PICOSTAR T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-Pin PICOSTAR T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD25481F4T MOSFET Transistor, P Channel, -2.5 A, -20 V, 0.075 ohm, -8 V, -950 mV
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.075 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 500 mW
阈值电压 950 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 2.5A
上升时间 3.6 ns
输入电容Ciss 189pF @10VVds
下降时间 6.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 PICOSTAR-3
长度 1.04 mm
宽度 0.64 mm
高度 0.35 mm
封装 PICOSTAR-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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