20V N 通道 NexFET 功率 MOSFET,CSD15571Q2
此 NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 小外形尺寸无引线 SON 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。
顶视图 RθJA = 50,这是在 1 平方英寸纯铜(2 盎司),厚度为 .060" 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上测得的值。脉冲持续时间 10μs,占空比 ≤ 2%
## 应用范围
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.45 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 17.2 ns
输入电容Ciss 419pF @10VVds
下降时间 4.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WSON-FET-6
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 WSON-FET-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free