CSD17571Q2概述
30V N 通道 NexFET 功率 MOSFET，CSD175712Q
这款 30V、20mΩ、SON 2mm × 2mm NexFET 功率 MOSFET 旨在以最大程度降低功率转换和负载管理应用中的损耗，同时提供出色的封装散热性能。
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- 低 Qg 和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅引脚镀层
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 2mm × 2mm 塑料封装
## 应用范围
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- 针对负载开关应用进行了优化
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- 存储、平板电脑和手持设备
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- 针对控制场效应 FET 应用进行了优化
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CSD17571Q2中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 468pF @15VVds
下降时间 2.6 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WSON-FET-6
外形尺寸
封装 WSON-FET-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD17571Q2引脚图与封装图 
替代型号CSD17571Q2
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD17571Q2 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
NTTFS4930NTWG 安森美 | 功能相似 | CSD17571Q2和NTTFS4930NTWG的区别 |