CSD13202Q2概述
N 通道功率 MOSFET、CSD13202Q2、12V Vd、9.3mΩ 导通电阻 Rdson/4.5V（最大值）
这个 12V，7.5mΩ NexFET 功率 MOSFET 被设计成在功率转换和负载管理应用中大大降低功率损耗。 SON 2mm x 2mm 封装提供针对封装尺寸的出色散热性能。
顶视图 RθJA=45°C/W，这是在 1 平方英寸纯铜 Cu（2 盎司）且厚度为 .060" 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上测得的值。脉冲持续时间 10μs，占空比 ≤ 2%
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- 超低 Qg和 Qgd
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- 低热阻
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- 雪崩级
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- 无铅端子镀层
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 2mm × 2mm 塑料封装
## 应用范围
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- 针对负载开关应用进行了优化
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- 存储、平板电脑和手持类器件
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- 针对控制场效应 FET 应用进行了优化
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- 负载点同步降压转换器
CSD13202Q2中文资料参数规格
技术参数
针脚数 6
漏源极电阻 0.0075 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.7 W
阈值电压 800 mV
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 28 ns
输入电容Ciss 997pF @6VVds
下降时间 13.6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WSON-FET-6
外形尺寸
封装 WSON-FET-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 便携式器材, 电源管理
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
CSD13202Q2引脚图与封装图 
