30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments
得捷:
MOSFET N-CH 30V 5A 6WSON
立创商城:
CSD17313Q2
德州仪器TI:
30-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single SON 2 mm x 2 mm, 32 mOhm
欧时:
Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17313Q2, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 SON封装
贸泽:
MOSFET 30V N Channel NexFET Power MOSFET
e络盟:
TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 6-Pin SON T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 6-Pin WSON EP T/R
Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2 MOSFET Transistor, N Channel, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 5A
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 5A 6SON
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.3 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 5.00 A
上升时间 3.9 ns
输入电容Ciss 340pF @15VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 1.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WSON-FET-6
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.8 mm
封装 WSON-FET-6
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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