CSD75208W1015，双路共源 20V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
此器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的超小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。 低导通电阻与小型封装尺寸和超薄特性结合在一起，使得此器件非常适合于电池供电运行的空间受限应用。
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- 双路 P 通道 MOSFET
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- 共源配置
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- 1.5mm x 1mm 小尺寸封装
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- 栅极 - 源电压钳位
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- 栅极静电放电 ESD 保护 - 3kV
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- 无铅
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
## 应用范围
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- 电池管理
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- 负载开关
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- 电池保护
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通道数 2
针脚数 6
漏源极电阻 0.056 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 750 mW
阈值电压 0.5 V
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 1.6A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 410pF @10VVds
额定功率Max 750 mW
下降时间 11 ns
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 UFBGA-6
长度 1.5 mm
宽度 1 mm
高度 0.625 mm
封装 UFBGA-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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