TEXAS INSTRUMENTS CSD17313Q2Q1 晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 30 V, 0.024 ohm, 8 V, 1.3 V
NexFET™ 功率 MOSFET 旨在最大程度减少电源转换中的损失，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。 2mm x 2mm SON 提供针对封装尺寸的出色散热性能。
顶视图 受限封装脉冲持续时间 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%
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- 符合汽车应用要求
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- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
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- 超低 Qg和 Qgd
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- 低热阻
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- 无铅
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- 符合 RoHS 标准
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- 无卤素
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- 小外形尺寸无引线 SON 2mm × 2mm 塑料封装
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.3 W
阈值电压 1.3 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 3.9 ns
输入电容Ciss 340pF @15VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 1.3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 WSON-FET-6
宽度 2 mm
封装 WSON-FET-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD17313Q2Q1 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD17313Q2 德州仪器 | 完全替代 | CSD17313Q2Q1和CSD17313Q2的区别 |
CSD17313Q2Q1T 德州仪器 | 功能相似 | CSD17313Q2Q1和CSD17313Q2Q1T的区别 |
7313 德州仪器 | 功能相似 | CSD17313Q2Q1和7313的区别 |