CSD83325L，双路 N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
这款 12V、9.9mΩ、采用 2.2mm × 1.15mm 接合栅格阵列 LGA 封装的双路 NexFET功率 MOSFET 旨在以小外形封装最大程度地降低电阻和栅极电荷。该器件的外形尺寸较小并采用共漏极配置，非常适合小型手持设备中 由电池供电的 应用。
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- 共漏极配置
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- 低导通电阻
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- 2.2mm × 1.15mm 小外形封装
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- 无铅
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
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- 栅极静电放电 ESD 保护
## 应用范围
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- 电池管理
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- 电池保护
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通道数 2
漏源极电阻 5.9 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.3 W
阈值电压 750 mV
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 ±12 V
连续漏极电流Ids 8A
上升时间 353 ns
输入电容Ciss 902pF @6VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 589 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 XFBGA-6
长度 2.2 mm
宽度 1.15 mm
高度 0.2 mm
封装 XFBGA-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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