CSD23203W

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CSD23203W概述

CSD23203W8 V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

这款 16.2mΩ,8V P 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1.0mm × 1.5mm 小外形尺寸封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

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超低 Qg 和 Qgd
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低导通电阻 RDSon
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小封装尺寸
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低高度(高度为 0.62mm)
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无铅
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素
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芯片级封装 CSP 1 x 1.5mm 晶圆级封装

## 应用范围

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电池管理
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负载开关
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电池保护

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CSD23203W中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 0.75 W

漏源极电压Vds 8 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 914pF @4VVds

额定功率Max 750 mW

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DSBGA-6

外形尺寸

封装 DSBGA-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CSD23203W引脚图与封装图
CSD23203W引脚图
CSD23203W封装图
CSD23203W封装焊盘图
在线购买CSD23203W
型号: CSD23203W
制造商: TI 德州仪器
描述:CSD23203W8 V P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
替代型号CSD23203W
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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