N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
This 25-V, 8-mΟ, 3.3-mm × 3.3-mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications.
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- Ultra-Low Qg and Qgd
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- Low-Thermal Resistance
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- Avalanche Rated
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- Lead-Free Terminal Plating
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- RoHS Compliant
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- Halogen Free
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- SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package
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- APPLICA ONS
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- Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking, Telecom and Computing Systems
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- Optimized for Control FET Applications
All other trademarks are the property of their respective owners
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.008 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.7 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 56.0 A
上升时间 7.8 ns
输入电容Ciss 570pF @12.5VVds
额定功率Max 2.7 W
下降时间 3.1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.7W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 VSON-Clip-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 1 mm
封装 VSON-Clip-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 电源管理, 通信与网络, 计算机和计算机周边, 工业
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
CSD16411Q3 TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD16412Q5A 德州仪器 | 功能相似 | CSD16411Q3和CSD16412Q5A的区别 |
SI7114ADN-T1-GE3 威世 | 功能相似 | CSD16411Q3和SI7114ADN-T1-GE3的区别 |
SI7112DN-T1-GE3 威世 | 功能相似 | CSD16411Q3和SI7112DN-T1-GE3的区别 |