CSD23202W10

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CSD23202W10概述

CSD23202W10 12V P 通道 NexFETTM 功率 MOSFET

这款 12V,44mΩ 器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形

封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。

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超低 Qg 和 Qgd
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小尺寸封装 1mm x 1mm
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薄型,0.62mm 高度
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无铅
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栅极静电放电 ESD 保护 - 3kV
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符合 RoHS 环保标准
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无卤素

## 应用范围

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电池管理
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负载开关
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电池保护
CSD23202W10中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 1 W

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 2.2A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 512pF @6VVds

下降时间 21 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 DSBGA-4

外形尺寸

封装 DSBGA-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

CSD23202W10引脚图与封装图
CSD23202W10引脚图
CSD23202W10封装图
CSD23202W10封装焊盘图
在线购买CSD23202W10
型号: CSD23202W10
制造商: TI 德州仪器
描述:CSD23202W10 12V P 通道 NexFETTM 功率 MOSFET
替代型号CSD23202W10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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