TEXAS INSTRUMENTS CSD85302LT 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 900 mV
Mosfet Array 2 N-Channel Dual Common Drain 1.7W Surface Mount 4-Picostar 1.31x1.31
得捷:
MOSFET 2N-CH
立创商城:
CSD85302LT
德州仪器TI:
20-V, N channel NexFET™ power MOSFET, dual common drain LGA 1.35 mm x 1.35 mm, 24 mOhm, gate ESD pro
艾睿:
20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
安富利:
Trans MOSFET N-CH 20V 4-Pin PICOSTAR T/R
Verical:
20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
Newark:
Dual MOSFET, Dual N Channel, 7 A, 20 V, 0.024 ohm, 4.5 V, 900 mV
针脚数 4
漏源极电阻 0.024 Ω
极性 Dual N-Channel
耗散功率 1.7 W
阈值电压 900 mV
漏源极电压Vds 20 V
上升时间 54 ns
额定功率Max 1.7 W
下降时间 99 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1700 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 XFLGA-4
封装 XFLGA-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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CSD85302LT TI 德州仪器 | 当前型号 | 当前型号 |
CSD85302L 德州仪器 | 功能相似 | CSD85302LT和CSD85302L的区别 |