CSD17304Q3参数规格_中文资料_数据手册PDF

CSD17304Q3概述

30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

The NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion applications and optimized for 5V gate drive applications.

.: Optimized for 5V Gate Drive

.: Ultralow Qg and Qgd

.: Low Thermal Resistance

.: Avalanche Rated

.: Pb Free Terminal Plating

.: RoHS Compliant

.: Halogen Free

.: SON 3.3-mm × 3.3-mm Plastic Package

.: APPLICA ONS

.: Notebook Point of Load

.: Point-of-Load Synchronous Buck in Networking, Telecom,

and Computing Systems

NexFET is a trademark of Texas Instruments.

CSD17304Q3中文资料参数规格

技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0059 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.7 W

阈值电压 1.3 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 56.0 A

上升时间 9.1 ns

输入电容Ciss 955pF @15VVds

额定功率Max 2.7 W

下降时间 3.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 TDFN-8

外形尺寸

封装 TDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期正在供货

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

CSD17304Q3引脚图与封装图

在线购买CSD17304Q3

型号： CSD17304Q3

制造商： TI 德州仪器

描述：30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET

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