CSD25213W10概述
P 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，CSD25213W10
此器件设计用于在超低高度并具有出色散热特性的尽可能小外形尺寸封装内产生最低的导通电阻和栅极电荷。
顶视图 在 1 in22 盎司纯铜 Cu 2 oz. 且厚度为 0.060" 的环氧板 FR4 印刷电路板 PCB 上，RθJA=75°C/W。脉宽 ≤ 300μs，占空比 ≤ 2%受栅极电阻限制。
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- 超低栅极电荷 Qg 和栅漏电荷 Qgd
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- 小尺寸封装 1mm x 1mm
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- 低高度（高度为 0.62mm）
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- 无铅
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- 栅 - 源电压钳位
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- 栅极静电放电 ESD 保护
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- 符合 RoHS 环保标准
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- 无卤素
CSD25213W10中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 67 mΩ
极性 P-CH
耗散功率 1 W
阈值电压 850 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 1.6A
上升时间 520 ns
输入电容Ciss 478pF @10VVds
下降时间 970 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 DSBGA-4
外形尺寸
长度 1 mm
宽度 1 mm
高度 0.62 mm
封装 DSBGA-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
CSD25213W10引脚图与封装图 
