CSD13302W 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET
这款 14.6mΩ、12V N 通道器件设计用于在超薄且具有出色散热特性的 1mm × 1mm 小外形封装内提供最低的导通电阻和栅极电荷。
## 应用范围
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极性 N-CH
耗散功率 1.8W Ta
漏源极电压Vds 12 V
连续漏极电流Ids 1.6A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 862pF @6VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.8W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 DSBGA-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 正在供货
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册